• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Статья
Developing foresight that impacts senior management decisions

Jonathan Calof, Colton B.

Technological Forecasting and Social Change. 2024. Vol. 198.

Книга
Ведущие мировые интеллектуалы о будущем

М.: Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 2023.

Книга
Форсайт: методы и практики

Гохберг Л. М., Веселитская Н. Н., Вишневский К. О. и др.

Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 2023.

Книга
Prospectiva para Ciencia, Tecnologia e Inovacao

Miles I., Saritas O., Sokolov A.

Rio de Janeiro: EDITORA FIOCRUZ, 2021.

На пути к технологическому суверенитету: патентная активность России в 2015–2022 гг.

На пути к технологическому суверенитету: патентная активность России в 2015–2022 гг.

Использован дизайн Freepik

Версия для печати

Институт статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ анализирует ключевые тренды патентной активности отечественных разработчиков и динамику патентных показателей1, традиционно используемых для оценки технологической независимости страны.

В последние годы патентная активность России снизилась: в 2015 г. отечественные заявители подали в стране и за рубежом 33,5 тыс. патентных заявок на изобретения, а в 2021 г. — 25,5 тыс., т. е. на четверть меньше. Этот тренд идет вразрез с глобальными тенденциями: многие развитые и развивающиеся страны стабильно наращивают патентную активность. В результате такого несоответствия доля России в общемировом потоке патентных заявок на изобретения уменьшилась за рассматриваемый период с 1,2 до 0,8%. По этому показателю страна переместилась в мировом рейтинге с 10-го на 14-е место, пропустив вперед Индию, Италию, Швецию и Канаду (рис. 1).

ИСИЭЗ НИУ ВШЭ

Примечательно, что снижение общего уровня патентной активности происходит за счет сокращения числа технических решений, регистрируемых отечественными разработчиками внутри страны. В 2022 г. в России было подано 19 тыс. отечественных заявок на изобретения, что в полтора раза меньше, чем в 2015 г. (29,3 тыс.) (рис. 2).

ИСИЭЗ НИУ ВШЭ

Патентная активность за рубежом, напротив, постепенно растет: с 4,2 тыс. заявок в 2015 г. до 5,9 тыс. в 2021 г. Наиболее привлекательными рынками для российских разработчиков на протяжении данного периода оставались США, государства — участники Евразийской патентной организации и ЕС. На соответствующие три патентных ведомства приходится суммарно 60,8% заявок на изобретения, поданных российскими заявителями за рубежом в 2015–2021 гг. (США — 39,6%, Евразийская патентная организация — 13,3%, Европейское патентное ведомство — 8%). Чаще всего отечественные заявители патентуют за рубежом изобретения в области компьютерных технологий, фармацевтики, а также новые двигатели и насосы.

Несмотря на негативную динамику патентной активности резидентов в России, в последние годы стабильно растет коэффициент технологической самообеспеченности страны (соотношение числа отечественных и всех поданных патентных заявок на изобретения), а коэффициент ее технологической зависимости (соотношение числа иностранных и отечественных патентных заявок на изобретения) снижается (рис. 3).

ИСИЭЗ НИУ ВШЭ

Основная причина тому — сокращение активности иностранных заявителей. Этот тренд сложился еще с 2016 г., но текущая геополитическая ситуация, ожидаемо, его усилила. В 2022 г. в Роспатент было подано около 8 тыс. иностранных патентных заявок на изобретения, что на 30,3% меньше, чем в 2021 г. (рис. 4).

ИСИЭЗ НИУ ВШЭ

С учетом трендов последних лет и влияния текущих условий стоит ожидать дальнейшего снижения патентных показателей технологической зависимости России. Впрочем, пока оно обеспечено по большей части не развитием собственной технологической базы, а снижением привлекательности российского рынка интеллектуальной собственности для зарубежных разработчиков. В ближайшее время стране предстоит переломить эту сложившуюся тенденцию.


 

Источники: расчеты ИСИЭЗ НИУ ВШЭ на основе последних имеющихся данных Всемирной организации интеллектуальной собственности (ВОИС) и Роспатента; результаты проекта «Подготовка справочных и аналитических материалов по вопросам развития науки в Российской Федерации и за рубежом» тематического плана научно-исследовательских работ, предусмотренных Государственным заданием НИУ ВШЭ.

 

Материал подготовили Екатерина Стрельцова и Анастасия Нестеренко


Данный материал ИСИЭЗ НИУ ВШЭ может быть воспроизведен (скопирован) или распространен в полном объеме только при получении предварительного согласия со стороны НИУ ВШЭ (обращаться issek@hse.ru). Допускается использование частей (фрагментов) материала при указании источника и активной ссылки на интернет-сайт ИСИЭЗ НИУ ВШЭ (issek.hse.ru), а также на авторов материала. Использование материала за пределами допустимых способов и с нарушением указанных условий приведет к нарушению авторских прав.

Предыдущий выпуск серии «Наука, технологии, инновации»:
«Мировой лидер патентования поднимает планку качества»

 

См. также:

Все выпуски экспресс-информаций ИСИЭЗ НИУ ВШЭ